جستجو

..

..

8205 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density. Advanced trench technology to provide excellent RDS(ON). Part number : 8205, AM8205, FS8205 Functions : Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Package information : SOT23-6, TSSOP8, SOT-26 Type Manufacturer : Fort..

Type Designator: 3400 Marking Code: 3400 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel - Maximum Power Dissipation: 1.4 W |Maximum Drain-Source Voltage: 30 V |Maximum Gate-Source Voltage: 12 V |Maximum Gate-Threshold Voltage: 1.4 V | Maximum Drain Current: 5.8 A Maxim Total Gate Charge: 9...

..

Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Number of Channels: 1 Channel Transistor Polarity: N-Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 500 V Id - Continuous Drain Current: 8 A Rds On - Drain-Source Resistance: 850 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V ..

..

..

..

..

POWER MOSFET N-CH 4.3A 600V ISOLATED ماسفت FQPF7N60C , یک ماسفت N-channel با ماکزیمم جریان دهی 4.3 آمپر و ولتاژ 600 ولت می باشد. رنج دمایی که ماسفت FQPF7N60 در آن کار می کند -55 تا +150 درجه سانتی گراد می باشد. ماکزیمم توان خروجی ماسفت FQPF7N60 مقدار 48 وات می باشد. ولتاژ گیت سورس در ماسفت FQPF7N60 مقدار 10 ولت می باشد. از موراد مصرف ماسفت FQ..

POWER MOSFET N-CH 2A 60V   ماسفت 20N06 , یک ماسفت N-channel با ماکزیمم جریان دهی 2 آمپر و ولتاژ 60 ولت می باشد. رنج دمایی که ماسفت20N06 در آن کار می کند -55 تا +150 درجه سانتی گراد می باشد.  از موراد مصرف ماسفت هلی کوپتر های کنترلی اشاره نمود...

..

..

..